廠家介質(zhì)損耗測(cè)試儀/介電常數(shù)測(cè)試儀
產(chǎn)品概述
介質(zhì)損耗測(cè)試儀/介電常數(shù)測(cè)試儀
介質(zhì)損耗測(cè)試儀/介電常數(shù)測(cè)試儀:GDAT-A
介質(zhì)損耗測(cè)試儀/介電常數(shù)測(cè)試儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
GDAT-A
介質(zhì)損耗測(cè)試儀/介電常數(shù)測(cè)試儀的詳細(xì)資料:
介質(zhì)損耗測(cè)試儀/介電常數(shù)測(cè)試儀用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
二、介質(zhì)損耗測(cè)試儀/介電常數(shù)測(cè)試儀的技術(shù)指標(biāo)
1.Q值測(cè)量
a.Q值測(cè)量范圍:2~1023。
b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
c.標(biāo)稱誤差
項(xiàng)目:GDAT-A
電感測(cè)量范圍 | 頻率范圍 | 固有誤差 | 工作誤差 | 頻率范圍 | 電容測(cè)量: | 工作誤差 |
14.5nH~8.14H | 20kHz~10MHz; | ≤5%±滿度值的2%; | ≤7%±滿度值的2%; | 10MHz~60MHz; | 1~ 460 | ≤8%±滿度值的2%。 |
3.介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀
項(xiàng) 目 | 直接測(cè)量范圍 | 主電容調(diào)節(jié)范圍 |
GDAT-A | 1~460pF | 準(zhǔn)確度 30~500pF 150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1% |
注:大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)使用規(guī)則
4.介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀信號(hào)源頻率覆蓋范圍
項(xiàng) 目: GDAT-A
頻率范圍 | 頻率分段 | 頻率指示誤差 | Q合格指示預(yù)置功能 | Q表正常工作條件 | 相對(duì)濕度 | 電源 | 消耗功率 | 凈重 |
10kHz~50MHz | (虛擬) 10~99.9999kHz 100~999.999kHz 1~9.99999MHz 10~60MHz | 3×10-5±1個(gè)字 | 預(yù)置范圍:5~1000。 | 環(huán)境溫度:0℃~+40℃; | <80%; | :220V±22V,50Hz±2.5Hz | 約25W; | 約7kg |
電感:
線圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz,50MHz 233,211 0.9 0.125μH
介質(zhì)損耗測(cè)試儀/介電常數(shù)測(cè)試儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。
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