介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x
產(chǎn)品概述
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x
一、 概述
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至***,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為***。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。
該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
二、儀器的技術(shù)指標(biāo)
1.Q值測(cè)量范圍:2~1023
2.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔;
3.電感測(cè)量范圍:14.5nH~8.14H 自身殘余電感和測(cè)試引線(xiàn)電感的自動(dòng)扣除功能
4.電容直接測(cè)量范圍:1~460pF
5.主電容調(diào)節(jié)范圍: 30~500pF
6.電容準(zhǔn)確度 150pF以下±1.5pF;150pF以上±1% 7.信號(hào)源頻率覆蓋范圍10KHz-60MHz或200KHz-160MHz
8、型號(hào)頻率指示誤差:3*10-5 ±1
Q值合格指示預(yù)置功能范圍:5~1000
9.Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃
b.相對(duì)濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
10.其他
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg;
c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
11.產(chǎn)品配置:
a.測(cè)試主機(jī)一臺(tái);
b.電感一套;
c.夾具一 套
三、性能特點(diǎn):
1. 平板電容器
極片尺寸:φ25.4mmφ50mm
極片間距可調(diào)范圍和分辨率:≥10mm,±0.01mm
2. 園筒電容器
電容量線(xiàn)性:0.33pF / mm±0.05 pF
長(zhǎng)度可調(diào)范圍和分辨率:≥0~20mm,±0.01mm
3. 夾具插頭間距:25mm±1mm
4. 夾角損耗角正切值:≤4×10-4(1MHz時(shí))
四. 工作原理
本測(cè)試裝置是由二只測(cè)微電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾持被測(cè)樣品,園筒
電容器是一只分辨率高達(dá)0.0033pF的線(xiàn)性可變電容器,配用儀器作為指示儀器,
絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值
變化,由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時(shí),由平板電容器的刻
度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。
五. 維修保養(yǎng)
本測(cè)試裝置是由精密機(jī)械構(gòu)件組成的測(cè)微設(shè)備,所以在使用和保存時(shí)要避免振動(dòng)
和碰撞,要求在不含腐蝕氣體和干燥的環(huán)境中使用和保存,不能自行拆裝,否則
其工作性能就不能保證,如測(cè)試夾具受到碰撞,或者作為定期檢查,要檢測(cè)以下
幾個(gè)指標(biāo):
1. 平板電容器二極片平行度不超過(guò)0.02mm。
2. 園筒電容器的軸和軸同心度誤差不超過(guò)0.1mm。
3. 保證二個(gè)測(cè)微桿0.01mm分辨率。
4. 用精密電容測(cè)量?jī)x(±0.01pF分辨率)測(cè)量園筒電容器,電容呈線(xiàn)性率,
從0~20mm,每隔1mm測(cè)試一點(diǎn),要求符合工作特性要求。
附表一,介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)主要性能參數(shù)一覽表
BH916測(cè)試裝置 GDAT高頻Q表
平板電容極片 Φ50mm/Φ25.4mm 可選頻率范圍
10KHz-60MHz/200KHz-160MHz
間距可調(diào)范圍≥15mm 頻率指示誤差3×
10-5±1個(gè)字
夾具插頭間距25mm±0.01mm 主電容調(diào)節(jié)范圍
30-500/18-220pF
測(cè)微桿分辨率0.001mm 主調(diào)電容誤差<1%
或1pF
夾具損耗角正切值≦4×10-4 (1MHz) Q測(cè)試范圍2~1023
附表二 電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)
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